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电阻电容电感半导体集成电路IC简单介绍

作者:恩平市雄声电子有限公司 浏览: 发表时间:2022-05-27 09:54:22

电子管、晶体管、集成电容,线路板元器件经历一个发展过程。


电容(capacitance):在电路学里,在一定电势差(1U)下,电容器的存电荷的能力。标记为C。采用国际单位制,电容的单位是法拉(farad),简称法;标记为F

 

电容的单位怎么换算

在国际单位制里,电容的单位是法拉,简称法,符号是F,因为法拉这个单位太大,所以通常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)等。

 

1法拉(F= 1000毫法(mF=1000000微法(μF);

1微法(μF= 1000纳法(nF= 1000000皮法(pF)。

 

电容的单位怎么换算

电容的读法:

105=1000000pF=1000nF= 1 µF

104=100000pF  =100nF  =0.1 µF    

103=10000pF    =10nF    = 0.01 µF

102=1000pF      =1nF      =0.001 µF

224=22 * 10^4pF=220000pF=220nF=0.22uF

电容的种类


 


电容的种类可以从原理上分为:无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等,从材料上可以分为:CBB电容(聚乙烯),涤纶电容瓷片电容云母电容独石电容电解电容钽电容等。

无极性可变电容
制作工艺:可旋转动片为陶瓷片表面镀金属薄膜,定片为镀有金属膜的陶瓷底;动片为同轴金属片,定片为有机薄膜片作介质
优点:容易生产,技术含量低。
缺点:体积大,容量小
用途:改变震荡及谐振频率电路。调频、调幅、发射/接收电路
无极性无感CBB电容
制作工艺:2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。
优点:无感,高频特性好,体积较小
缺点:不适合做大容量,价格比较高,耐热性能较差。
用途:耦合/震荡,音响,模拟/数字电路,高频电源滤波/退耦
无极性CBB电容
制作工艺:2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。
优点:有感,高频特性好,体积较小
缺点:不适合做大容量,价格比较高,耐热性能较差。
用途:耦合/震荡,模拟/数字电路,电源滤波/退耦
无极性瓷片电容
制作工艺:薄瓷片两面渡金属膜银而成。
优点:体积小,耐压高,价格低,频率高(有一种是高频电容)
缺点:易碎,容量低
用途:高频震荡、谐振、退耦、音响
无极性云母电容
制作工艺:云母片上镀两层金属薄膜
优点:容易生产,技术含量低。
缺点:体积大,容量小用途:震荡、谐振、退耦及要求不高的电路无极性独石电容体积比CBB更小,其他同CBB,有感
用途:模拟/数字电路信号旁路/滤波,音响
有极性电解电容
制作工艺:两片铝带和两层绝缘膜相互层叠,转捆后浸在电解液中。
优点:容量大。
缺点:高频特性不好。
用途:低频级间耦合、旁路、退耦、电源滤波、音响
钽电容
制作工艺:用金属钽作为正极,在电解质外喷上金属作为负极。
优点:稳定性好,容量大,高频特性好。
缺点:造价高。
用途:高精度电源滤波、信号级间耦合、高频电路、音响电路
聚酯(涤纶)电容
符号:CL
电容量:40p--4u
额定电压:63--630V
主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差
应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路
聚苯乙烯电容
符号:CB
电容量:10p--1u
额定电压:100V--30KV
主要特点:稳定,低损耗,体积较大
应用:对稳定性和损耗要求较高的电路
聚丙烯电容
符号:CBB
电容量:1000p--10u
额定电压:63--2000V
主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差
应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路
云母电容
符号:CY
电容量:10p--0.1u
额定电压:100V--7kV
主要特点:高稳定性,高可靠性,温度系数小
应用:高频振荡,脉冲等要求较高的电路
高频瓷介电容
符号:CC
电容量:1--6800p
额定电压:63--500V
主要特点:高频损耗小,稳定性好
应用:高频电路
低频瓷介电容
符号:CT
电容量:10p--4.7u
额定电压:50V--100V
主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差
应用:要求不高的低频电路
玻璃釉电容
符号:CI
电容量:10p--0.1u
额定电压:63--400V
主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温(200度)
应用:脉冲、耦合、旁路等电路
铝电解电容
符号:CD
电容量:0.47--10000u
额定电压:6.3--450V
主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大
应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等
钽电解电容(CA)、铌电解电容(CN)
电容量:0.1--1000u
额定电压:6.3--125V
主要特点:损耗、漏电小于铝电解电容
应用:在要求高的电路中代替铝电解电容
空气介质可变电容器
可变电容量:100--1500p
主要特点:损耗小,效率高;可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式 等
应用:电子仪器,广播电视设备等
薄膜介质可变电容器
可变电容量:15--550p
主要特点:体积小,重量轻;损耗比空气介质的大
应用:通讯,广播接收机等
薄膜介质微调电容器
符号: 可变电容量:1--29p
主要特点:损耗较大,体积小
应用:收录机,电子仪器等电路作电路补偿
陶瓷介质微调电容器
符号: 可变电容量:0.3--22p
主要特点:损耗较小,体积较小
应用:精密调谐的高频振荡回路




电容:可分为无极性和有极性两类,无极性电容下述两类封装最为常见,即0805、0603;而有
极性电容也就是我们平时所称的电解电容,一般我们平时用的最多的为铝电解电容,由于其电解
质为铝,所以其温度稳定性以及精度都不是很高,而贴片元件由于其紧贴电路版,所以要求温度
稳定性要高,所以贴片电容以钽电容为多,根据其耐压不同,贴片电容又可分为A、B、C、D 四
个系列,具体分类如下:
类型封装形式耐压
A 3216 10V
B 3528 16V
C 6032 25V
D 7343 35V
贴片电容的尺寸表示法有两种,一种是英寸为单位来表示,一种是以毫米为单位来表示,贴
片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1812、2010、2225、2512,是英寸表示法,
04 表示长度是0.04 英寸,02 表示宽度0.02 英寸,其他类同
型号尺寸(mm)
英制尺寸公制尺寸长度及公差宽度及公差厚度及公差
0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05
0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10
0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20
1.00±0.20
1.25±0.20
1206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20
1.00±0.20
1.25±0.20
1210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.30
1.50±0.30
1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00
1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50
2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50
3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00
贴片电容的命名
贴片电容的命名:
贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求
的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求
例风华系列的贴片电容的命名
贴片电容的命名:
贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求
的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。一般订购贴片电容需提供的参数要有尺寸的大小、
要求的精度、电压的要求、容量值、以及要求的品牌即可。
例风华系列的贴片电容的命名:
0805CG102J500NT
0805:是指该贴片电容的尺寸套小,是用英寸来表示的08 表示长度是0.08 英寸、05 表示宽度为
0.05 英寸
CG :是表示做这种电容要求用的材质,这个材质一般适合于做小于10000PF 以下的电容,
102 :是指电容容量,前面两位是有效数字、后面的2 表示有多少个零102=10×102 也就是=
1000PF
J :是要求电容的容量值达到的误差精度为5%,介质材料和误差精度是配对的
500 :是要求电容承受的耐压为50V 同样500 前面两位是有效数字,后面是指有多少个零。
N :是指端头材料,现在一般的端头都是指三层电极(银/铜层)、镍、锡
T :是指包装方式,T 表示编带包装,B 表示塑料盒散包装
贴片电容的颜色,常规见得多的就是比纸板箱浅一点的黄,和青灰色,这在具体的生产过程中会有产
生不同差异
贴片电容上面没有印字,这是和他的制作工艺有关(贴片电容是经过高温烧结面成,所以没办法在它
的表面印字),而贴片电阻是丝印而成(可以印刷标记)。
贴片电容有中高压贴片电容得普通贴片电容,
系列电压有6.3V、10V、16V、25V、50V、100V、200V、500V、1000V、2000V、3000V、
4000V
贴片电容的尺寸表示法有两种,一种是英寸为单位来表示,一种是以毫米为单位来表示,贴片电容系
列的型号有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2225 等。
贴片电容的材料常规分为三种,NPO,X7R,Y5V
NPO 此种材质电性能最稳定,几乎不随温度,电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要
求要的高频电路。容量精度在5%左右,但选用这种材质只能做容量较小的,常规100PF 以下,100PF-
1000PF 也能生产但价格较高
X7R 此种材质比NPO 稳定性差,但容量做的比NPO 的材料要高,容量精度在10%左右。
Y5V 此类介质的电容,其稳定性较差,容量偏差在20%左右,对温度电压较敏感,但这种材质
能做到很高的容量,而且价格较低,适用于温度变化不大的电路中。

瓷片电容部分正负极,鉭电容和电解电容分正负极。




芯片制造工艺流程步骤:芯片一般是指

芯片制造工艺流程步骤:芯片一般是指集成电路的载体,芯片制造工艺流程步骤相对来说较为复杂,芯片设计门槛高。芯片相比于传统封装占用较大的体积,下面小编为大家介绍一下芯片的制造流程。

芯片制造工艺流程步骤如下:

沉积:将材料薄膜沉积到晶圆上。材料可以是导体、绝缘体或半导体

光刻胶涂覆:在晶圆上涂覆光敏材料“光刻胶”或“光阻”,然后将晶圆放入光刻机。

曝光:在掩模版上制作需要印刷的图案蓝图。

计算光刻:对掩模版上的图案进行调整,确保最终光刻图案的准确。

烘烤与显影:洗去多余光刻胶,部分涂层留出空白部分。

刻蚀:气体等材料去除多余的空白部分,形成3D电路图案。

计量和检验:进行计量和检验,过程确保没有任何误差。检测结果反馈至光刻系统。

离子注入:用正离子或负离子轰击晶圆,对部分图案的半导体特性进行调整。

视需要重复制程步驟:从薄膜沉积到去除光刻胶,整个流程为晶圆片覆盖上一层图案,这一流程需要不断重复100多次。

封装芯片:最后一步,切割晶圆,获得单个芯片,封装在保护壳中。

以上就是芯片制造工艺流程步骤,希望对大家会有所帮助。如今随着科技发展的不断进步,芯片的制程工艺的也不断提高,未来刻蚀成本也会越来越高。




电子产品外观设计用:

模具设计用:

电子硬件设计用99se 、AD 、Pads 、Cadence

电子软件设计用:

做好PBC样板、做铝片钢网

手工上锡膏、放上元器件、热盘通电

清洗板子用洗板水

测试PCBA样品、确定好样品

批量订PCB

做钢网

订好批量元器件

进入贴片SMT

补件

测试批量PCBA

PCBA线路板出货


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