电子管、晶体管、集成电容，线路板元器件经历一个发展过程。

电容（capacitance）：在电路学里，在一定电势差（1U）下，电容器的存电荷的能力。标记为C。采用国际单位制，电容的单位是法拉（farad），简称法；标记为F。

电容的单位怎么换算

在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F，因为法拉这个单位太大，所以通常用的电容单位有毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）和皮法（pF）等。

1法拉（F）= 1000毫法（mF）=1000000微法（μF）；

1微法（μF）= 1000纳法（nF）= 1000000皮法（pF）。

电容的单位怎么换算

电容的读法：

105=1000000pF=1000nF= 1 µF

104=100000pF  =100nF  =0.1 µF    

103=10000pF    =10nF    = 0.01 µF

102=1000pF      =1nF      =0.001 µF

224=22 * 10^4pF=220000pF=220nF=0.22uF

电容的种类可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上可以分为：CBB电容（聚乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。

电容：可分为无极性和有极性两类，无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603；而有
极性电容也就是我们平时所称的电解电容，一般我们平时用的最多的为铝电解电容，由于其电解
质为铝，所以其温度稳定性以及精度都不是很高，而贴片元件由于其紧贴电路版，所以要求温度
稳定性要高，所以贴片电容以钽电容为多，根据其耐压不同，贴片电容又可分为A、B、C、D 四
个系列，具体分类如下：
类型封装形式耐压
A 3216 10V
B 3528 16V
C 6032 25V
D 7343 35V
贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴
片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1812、2010、2225、2512，是英寸表示法，
04 表示长度是0.04 英寸，02 表示宽度0.02 英寸，其他类同
型号尺寸（mm）
英制尺寸公制尺寸长度及公差宽度及公差厚度及公差
0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05
0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10
0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20
1.00±0.20
1.25±0.20
1206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20
1.00±0.20
1.25±0.20
1210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.30
1.50±0.30
1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00
1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50
2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50
3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00
贴片电容的命名
贴片电容的命名:
贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求
的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求
例风华系列的贴片电容的命名
贴片电容的命名:
贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求
的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。一般订购贴片电容需提供的参数要有尺寸的大小、
要求的精度、电压的要求、容量值、以及要求的品牌即可。
例风华系列的贴片电容的命名：
0805CG102J500NT
0805：是指该贴片电容的尺寸套小，是用英寸来表示的08 表示长度是0.08 英寸、05 表示宽度为
0.05 英寸
CG ：是表示做这种电容要求用的材质，这个材质一般适合于做小于10000PF 以下的电容，
102 ：是指电容容量，前面两位是有效数字、后面的2 表示有多少个零102＝10×102 也就是＝
1000PF
J ：是要求电容的容量值达到的误差精度为5％，介质材料和误差精度是配对的
500 ：是要求电容承受的耐压为50V 同样500 前面两位是有效数字，后面是指有多少个零。
N ：是指端头材料，现在一般的端头都是指三层电极（银/铜层）、镍、锡
T ：是指包装方式，T 表示编带包装，B 表示塑料盒散包装
贴片电容的颜色，常规见得多的就是比纸板箱浅一点的黄，和青灰色，这在具体的生产过程中会有产
生不同差异
贴片电容上面没有印字，这是和他的制作工艺有关（贴片电容是经过高温烧结面成，所以没办法在它
的表面印字），而贴片电阻是丝印而成（可以印刷标记）。
贴片电容有中高压贴片电容得普通贴片电容，
系列电压有6.3V、10V、16V、25V、50V、100V、200V、500V、1000V、2000V、3000V、
4000V
贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容系
列的型号有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2225 等。
贴片电容的材料常规分为三种，NPO,X7R,Y5V
NPO 此种材质电性能最稳定，几乎不随温度，电压和时间的变化而变化，适用于低损耗，稳定性要
求要的高频电路。容量精度在5％左右，但选用这种材质只能做容量较小的，常规100PF 以下，100PF-
1000PF 也能生产但价格较高
X7R 此种材质比NPO 稳定性差，但容量做的比NPO 的材料要高，容量精度在10％左右。
Y5V 此类介质的电容，其稳定性较差，容量偏差在20％左右，对温度电压较敏感，但这种材质
能做到很高的容量，而且价格较低，适用于温度变化不大的电路中。

瓷片电容部分正负极，鉭电容和电解电容分正负极。

芯片制造工艺流程步骤：芯片一般是指

芯片制造工艺流程步骤：芯片一般是指集成电路的载体，芯片制造工艺流程步骤相对来说较为复杂，芯片设计门槛高。芯片相比于传统封装占用较大的体积，下面小编为大家介绍一下芯片的制造流程。

芯片制造工艺流程步骤如下：

沉积：将材料薄膜沉积到晶圆上。材料可以是导体、绝缘体或半导体。

光刻胶涂覆：在晶圆上涂覆光敏材料“光刻胶”或“光阻”，然后将晶圆放入光刻机。

曝光：在掩模版上制作需要印刷的图案蓝图。

计算光刻：对掩模版上的图案进行调整，确保最终光刻图案的准确。

烘烤与显影：洗去多余光刻胶，部分涂层留出空白部分。

刻蚀：气体等材料去除多余的空白部分，形成3D电路图案。

计量和检验：进行计量和检验，过程确保没有任何误差。检测结果反馈至光刻系统。

离子注入：用正离子或负离子轰击晶圆，对部分图案的半导体特性进行调整。

视需要重复制程步驟：从薄膜沉积到去除光刻胶，整个流程为晶圆片覆盖上一层图案，这一流程需要不断重复100多次。

封装芯片：最后一步，切割晶圆，获得单个芯片，封装在保护壳中。

以上就是芯片制造工艺流程步骤，希望对大家会有所帮助。如今随着科技发展的不断进步，芯片的制程工艺的也不断提高，未来刻蚀成本也会越来越高。

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电子硬件设计用99se 、AD 、Pads 、Cadence

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